به گزارش ایسکانیوز، محققان MIT روش تازه ای برای ساخت تراشه های سه بعدی ایجاد کرده اند. در این روش با استفاده از نانوتوب های کربن و سلول های حافظه PRAM طرح یک پردازشگر ترکیبی نانوالکتریکی ساختند از ساختار پیچیده و سه بعدی پشتیبانی می کند. این درحالی است که روش های تولید تراشه فعلی فقط با ساختارهای دوبعدی همخوان هستند.
چون ترکیب های مدارهای کربن نانوتوب و حافظه RRAM در دمای کمتر از ۲۰۰ درجه سانتیگراد ساخته می شود، تولید سه بعدی تراشه امکانپذیر شده است. این درحالی است که تراشه های دو بعدی سیلیکونی در دمای هزار درجه سانتیگراد تولید می شوند. به عبارت دیگر کاهش دمای تولید بدان معناست که می توان لایه های متعدد تراشه را بدون آسیب به لایه های زیرین ساخت.
یکی دیگر از دلایل خاص بودن این طرح، قابلیت ترکیب این تراشه با بخش حافظه در یک پردازشگر است. به گفته کارشناسان تولید تراشه های سه بعدی قدرت رایانه ها را خواهد افزود زیرا تراشه های فعلی با توجه به علم فیزیک به محدودیت بر می خورند.
200/202
منبع: مهر
